一、概述
TF1000D是一款集成了高壓電源、功率電感、雙脈沖信號發生器、UI控制界面等完整核心組件的便攜式雙脈沖測試儀。
本裝置設計有供電流電壓探頭使用的便捷式接駁端子,可便捷且*地將功率半橋拓撲結構的測試波形讀取至用戶示波器上,以充分展示探頭在高速功率器件級動態測試實驗過程中的優異性能,工程師無需再額外配置外圍儀器儀表。
本裝置可幫助工程師測試表征TO247-3L/ TO247-4L封裝 SiC MOSFET單管器件的動態性能,其主體電路包含主電路回路和驅動電路兩部分,得益于整體低雜散電感的電路設計,當MOSFET快速通斷且達到500V/15ns(dv/dt高達33KV/us)時,器件兩端的波形震蕩仍可控制在極低水平,以便于測量計算被測SiC MOSFET器件的動態參數。
本裝置上部電路板區域集成了各類電流電壓探頭的接入端口,均根據測量的要求布局設計,以充分發揮出探頭性能;針對高壓差分探頭的采用定制型4mm香蕉插座,在降低波形振蕩的同時實現對500MHz高速電壓信號進行低失真測量采集。對于高速電流采集:設置了兩個*螺栓型同軸分流器,分別用于檢測上管及下管的高速電流波形。此*螺栓型同軸分流器可較為簡便地進行徒手安裝和拆卸,或快速替換各不同阻值的同軸分流器。
本裝置可以通過前面的可視化UI軟件控制界面,可快速準確地切換雙脈沖實驗的不同測試項目(DUT器件開關特性/反向恢復特性)的硬件電路連接。軟件設置時會同步配置上/下橋臂的驅動器,內部繼電器,以及空心電感接入位置,工程師可快速準確作設置切換并避免錯誤設置。
TF1000D雙脈沖測試演示裝置整體尺寸僅有214*193*123mm,非常便于攜帶及演示。
型 號
TF1000D
硬件名稱
參數
備注
空心電感
L=0.1mH
高壓直流電源
50V-700V
50V步進(本裝置限制700V)
雙脈沖時間初始值
5us/2us/2us
雙脈沖導通時間范圍
2-10uS
1uS步進
雙脈沖截止時間范圍
1-10uS
1uS步進
ID電流典型值
Id=U*T/L=35A
L=0.1mH
U=500V
5us/2us/2us
驅動模塊
驅動芯片
ACPL-W346
驅動電阻
5R
驅動電壓
15V/-2V
SiC半橋
C3M0075120K SiC MOSFET
(TO247-4L封裝)*兩顆
32A/1200V
VDS上升時間
500V/15ns
VDS下降時間
500V/15ns
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